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本发明实施例涉及一种分析半导体结构的方法,其包含:将半导体结构装载于载物台上;提供安置于所述半导体结构及所述载物台上方的检测器;施加电压到所述半导体结构;通过所述检测器识别处于大体上大于预定阈值的温度的所述半导体结构的一部分;在识别所述半导...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明实施例涉及一种分析半导体结构的方法,其包含:将半导体结构装载于载物台上;提供安置于所述半导体结构及所述载物台上方的检测器;施加电压到所述半导体结构;通过所述检测器识别处于大体上大于预定阈值的温度的所述半导体结构的一部分;在识别所述半导...