温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，包括十个NTFET晶体管和两个PTFET晶体管，十个NTFET晶体管依次记为N1～N10，两个PTFET晶体管分别记为P1、P2，电源VDD与NTFET晶体管N7及NTF...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。