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本发明公开了一种新型栅控P‑i‑N二极管ESD器件及其实现方法，所述ESD器件包括：背栅(40)；形成于背栅(40)上的绝缘埋层(30)；在所述绝缘埋层(30)上依次排列形成的浅沟道隔离层(10)、高浓度P型掺杂(20)、P阱(70)、高浓...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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