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本发明提供了一种近零介电常数可控基底及其制备方法，包括：将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照薄膜的表面，使薄膜改性...
该专利属于上海理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海理工大学授权不得商用。

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