一种近零介电常数可控基底及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种近零介电常数可控基底及其制备方法，包括：将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照薄膜的表面，使薄膜改性得到近零介电常数可控基底。本发明专利技术所提供的近零介电常数可控基底的制备方法制备成本低、工艺周期短，通过调节激光参数的方法能够方便地得到介电常数实部近零点的大波段范围的调控；制备得到的近零介电常数可控基底具有良好的灵敏度，在光子器件和光互连领域具以及光子信号处理与CMOS兼容非线性光学等领域有广阔的应用前景。

A near zero permittivity controllable substrate and its preparation method

The invention provides a near zero permittivity controllable substrate and a preparation method thereof, which comprises: placing a clean substrate in an electron beam vacuum evaporation device, depositing a film material with near zero permittivity characteristic on the substrate by the electron beam evaporation method, and obtaining a transparent conductive film; in an atmospheric environment, irradiating the surface of the film by a pulse laser with certain laser parameters, so as to Near zero permittivity controllable substrate was obtained by film modification. The preparation method of the near zero permittivity controllable substrate provided by the invention has the advantages of low preparation cost and short process period. By adjusting the laser parameters, it is convenient to obtain the large band adjustment of the near zero permittivity of the real part of the permittivity; the prepared near zero permittivity controllable substrate has good sensitivity, and has good sensitivity in the field of photon devices and optical interconnection as well as photon signal processing and C MOS compatible nonlinear optics and other fields have broad application prospects.

【技术实现步骤摘要】
一种近零介电常数可控基底及其制备方法
本专利技术属于薄膜表面改性
，具体涉及一种近零介电常数可控基底及其制备方法。
技术介绍
近零介电常数(ENZ，Epsilonnearzero)超材料指相对介电常数无限趋近于零的一类超材料。当相对介电常数趋近于零时，相速度将会变得非常大，对于光波来说阻抗接近于零，相变化无限小，因此ENZ超材料可以对电磁波进行定向发射或者相前塑形。此外ENZ超材料还可以调制光的极化方向，并加强光的非线性，自发辐射率和光子态密度。ENZ模式是强烈的局域共振模式，这种模式仅存在与介电常数为零或近零的亚波长纳米材料中。近年来，关于ENZ模式的调控大都是通过掺杂物质以及改变其生长条件来实现，实验周期长，操作复杂。然而ENZ材料有广阔的应用，2006年Silveirinha等理论研究了利用近零材料(ENZ)压缩电磁波，形成电磁波隧道，从而实现电磁波辐射模式的转换，2007年又提出了用ENZ材料实现电磁波超耦合、压缩和约束的理论等等.基于ENZ材料的特性，其在光子器件和光互连领域以及光子信号处理与CMOS兼容等领域有广阔的应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在所述基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；/n步骤2，在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照所述薄膜的表面，使所述薄膜改性得到近零介电常数可控基底。/n

【技术特征摘要】
1.一种近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在所述基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；
步骤2，在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照所述薄膜的表面，使所述薄膜改性得到近零介电常数可控基底。


2.根据权利要求1所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，步骤2中，所述脉冲激光器为1064纳秒脉冲激光器，该1064纳秒脉冲激光器的激光总功率为20W，所述薄膜的厚度为300nm，
所述激光参数包含焦距7.5cm，脉宽13ns，频率170KHz，光斑大小0.1mm，线间距0.01mm，扫描速率600mm/s，激光功率为所述激光总功率的10％。


3.根据权利要求2所述的近零介电常数可控基底的制备方法，其特征在于：
其中，所述激光功率还...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑞金，颜廷贞，张大伟，师境奇，李正旺，陶春先，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：上海;31