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在一个实施方式中，提供了一种在处理腔室中在基板上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上方沉积预确定的厚度的牺牲介电层。所述方法进一步包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述基板的上表面来在所述基板上形成图案化特征。所述方法进一步包括对所...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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