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三维存储器件的源极结构及其制作方法技术
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文档序号:22447160
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本文公开了三维(3D)存储器件的源极结构和用于制作3D存储器件的源极结构的方法。在一个示例中,NAND存储器件包括衬底(102)、交替导体/介电质堆叠(142)、NAND串(130)、源极导体层(144)以及源极接触件(132)。交替导体/...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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