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本发明提供一种SiC MOSFET功率器件及其制备方法。该器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面；沟槽，位于外延层内，沟槽的上部开口大于其下部开口；栅介质层，位于沟槽的侧壁及底部表面；栅极导电层，位于栅介质层表面且填满沟槽；阱区，位于外延层...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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