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本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的在基本上垂直于衬底的顶表面的第一方向上的下栅电极、在第一方向上在下栅电极上的上栅电极、以及在第一方向上延伸通过下栅电极和上栅电极的沟道结构。每个沟道结构包括下沟道结构、上沟道结构以及互连下...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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