专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
英特尔公司
>
双自对准栅极端盖(SAGE)架构制造技术
>技术资料下载
下载双自对准栅极端盖(SAGE)架构的技术资料
文档序号:22332132
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
描述了双自对准栅极端盖(SAGE)架构以及制造双自对准栅极端盖(SAGE)架构的方法。在示例中,一种集成电路结构包括第一半导体鳍状物,所述第一半导体鳍状物具有沿第一半导体鳍状物的长度的切口。第二半导体鳍状物与第一半导体鳍状物平行。第一栅极端...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。