【技术实现步骤摘要】
双自对准栅极端盖(SAGE)架构
本公开的实施例处于半导体器件和处理的领域中,并且尤其处于双自对准栅极端盖(SAGE)架构以及制造双自对准栅极端盖(SAGE)架构的方法领域中。
技术介绍
过去几十年来,集成电路中特征的缩放已经成为不断发展的半导体产业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得半导体芯片的有限占用面积上的功能单元的密度增大。例如,缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入增大数量的存储器或逻辑器件,从而为产品制造带来增大的容量。不过,对越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每个器件的性能的必要性变得越来越重要。在集成电路器件的制造中,随着器件尺寸继续缩小,诸如三栅极晶体管的多栅极晶体管已经变得更加普及。在常规工艺中,三栅极晶体管通常是在体硅衬底或绝缘体上硅衬底上制造的。在一些实例中,体硅衬底是优选的,因为它们的成本更低,并且因为它们启用较不复杂的三栅极制造工艺。不过,缩放多栅极晶体管并非没有后果。随着微电子电路的这些功能构建块的尺寸减小并且随着给定区域中制造的功能构建块的绝对数量增大,对用于使这些构建块图案化的光刻工艺的约束已经变得难以应对。具体而言,在半导体堆叠体中图案化的特征的最小尺寸(临界尺寸)和这种特征之间的间隔之间可能存在权衡。附图说明图1示出了根据本公开的实施例的用于具有相对宽间隔的常规架构的相邻集成电路结构的平面图(左侧)与用于具有相对紧密间隔的自对准栅极端盖(SAGE)架构的相邻集成电路结构的平面图(右侧)的对比。图2示出了包括适应端到端间隔的基于鳍状物的半导体器件的常规布局的平面图。图3示出了根据本公开的实施例的穿过用于常规架构的鳍状物所截取 ...
【技术保护点】
1.一种集成电路结构,包括:第一半导体鳍状物,所述第一半导体鳍状物具有沿所述第一半导体鳍状物的长度的切口;与所述第一半导体鳍状物平行的第二半导体鳍状物;处于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间的第一栅极端盖隔离结构;以及在沿所述第一半导体鳍状物的长度的所述切口的位置中的第二栅极端盖隔离结构,所述第二栅极端盖隔离结构与所述第一端盖隔离结构平行并且分开,在所述第一端盖隔离结构和所述第二端盖隔离结构之间没有居间半导体鳍状物。
【技术特征摘要】
2018.04.02 US 15/943,5561.一种集成电路结构,包括:第一半导体鳍状物,所述第一半导体鳍状物具有沿所述第一半导体鳍状物的长度的切口;与所述第一半导体鳍状物平行的第二半导体鳍状物;处于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间的第一栅极端盖隔离结构;以及在沿所述第一半导体鳍状物的长度的所述切口的位置中的第二栅极端盖隔离结构,所述第二栅极端盖隔离结构与所述第一端盖隔离结构平行并且分开,在所述第一端盖隔离结构和所述第二端盖隔离结构之间没有居间半导体鳍状物。2.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述第二栅极端盖隔离结构具有处于所述第一栅极端盖隔离结构的底表面上方的底表面。3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,还包括:与所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物平行的第三半导体鳍状物,所述第三半导体鳍状物在所述第二栅极端盖隔离结构的与所述第一栅极端盖隔离结构相对的一侧上与所述第二栅极端盖隔离结构间隔开第一间隔,其中,所述第二半导体鳍状物与所述第一栅极端盖隔离结构间隔开小于所述第一间隔的第二间隔。4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,其中,所述第一栅极端盖隔离结构具有沿所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的长度的第一基本均匀的宽度,并且其中,所述第二栅极端盖隔离结构具有沿所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的长度的第二基本均匀的宽度。5.根据权利要求4所述的集成电路结构,其中,所述第二基本均匀的宽度大于所述第一基本均匀的宽度。6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,其中,所述第一栅极端盖隔离结构或所述第二栅极端盖隔离结构之一或两者包括下方电介质部分和所述下方电介质部分上的电介质盖。7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,其中,所述第一栅极端盖隔离结构或所述第二栅极端盖隔离结构之一或两者包括在所述第一栅极端盖隔离结构或所述第二栅极端盖隔离结构之一或两者内居中的竖直缝隙。8.根据权利要求1或2所述的集成电路结构,其中,所述第一栅极端盖隔离结构具有的总组分与所述第二栅极端盖隔离结构的总组分不同。9.一种集成电路结构,包括:第一半导体鳍状物,所述第一半导体鳍状物具有沿所述第一半导体鳍状物的长度的切口;与所述第一半导体鳍状物平行的第二半导体鳍状物;处于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间的第一栅极端盖隔离结构;以及在沿所述第一半导体鳍状物的长度的所述切口的位置中的第二栅极端盖隔离结构,其中,所述第二栅极端盖隔离结构具有处于所述第一栅极端盖隔离结构的底表面上方的底表面。10.根据权利要求9所述的集成电路结构,还包括:与所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物平行的第三半导体鳍状物,所述第三半导体鳍状物在所述第二栅极端盖隔离结构的与所述第一栅极端盖隔离结构相对的一侧上与所述第二栅极端盖...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·苏布拉玛尼安,W·M·哈菲兹,S·戈万达拉朱,M·刘,S·S·廖,CH·简,N·林德特,C·肯尼恩,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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