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半导体器件制造技术
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文档序号:22332115
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使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2);形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3);形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(D...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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