半导体器件制造技术

使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2)；形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3)；形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4>DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C)，实现耐湿性的提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件本专利技术申请是国际申请日为2014年01月29日、国际申请号为PCT/JP2014/051982、进入中国国家阶段的国家申请号为201480001983.9、专利技术名称为“半导体器件”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体器件，涉及适用于例如具有线圈的半导体器件的有效的技术。
技术介绍
作为在输入的电信号的电位互不相同的两个电路之间传输电信号的装置，存在使用了光电耦合器的装置。光电耦合器具有发光二极管等发光元件和光电晶体管(phototransistor)等受光元件，通过发光元件将输入的电信号转换为光，通过受光元件将该光复原为电信号，从而传输电信号。另外，开发了使两个线圈感应耦合，从而传输电信号的技术。例如，在专利文献1(日本特开2009-302418号公报)中，公开了具有第1线圈、第1绝缘层、第2线圈的电路装置。另外，在专利文献2(日本特开2003-309184号公报)中，公开了线圈和电容器形成在同一衬底上，具有多个层叠的线圈图案的复合模块。另外，在专利文献3(日本特开2009-141011号公报)、专利文献4(日本特开2004-311655号公报)及专利文献5(日本特开2004-281838号公报)中，分别公开了密封环、金属防护件、保护环(guardring)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-302418号公报专利文献2：日本特开2003-309184号公报专利文献3：日本特开2009-141011号公报专利文献4：日本特开2004-311655号公报专利文献5：日本特开2004-281838号公报
技术实现思路
作为在输入的电信号的电位互不相同的两个电路之间传输电信号的技术，存在使用了上述“光电耦合器”的技术。然而，由于光电耦合器具有发光元件和受光元件，所以难以小型化。另外，在电信号的频率较高的情况下，变得无法跟踪电信号，另外，不能在125oC以上的高温下使其动作等，其采用存在极限。另一方面，在使两个线圈感应耦合，从而传输电信号的半导体器件中，能够利用半导体器件的精细加工技术形成线圈，能够实现器件的小型化，而且电气特性也良好，希望该器件的开发。因此，在使两个线圈感应耦合从而传输电信号的半导体器件中，也希望尽可能使性能提高。其他的课题与新的特征将从本说明书的记述及附图得以明确。在本申请中公开的实施方式中，简单地说明代表性器件的概要如下。本申请中公开的一个实施方式所示的半导体器件，具有：形成于第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；形成于第1线圈及第1布线之上的第2绝缘膜；形成于第2绝缘膜之上的第2布线；形成于第2布线之上的第3绝缘膜；形成于第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线。而且，第2线圈与第3布线之间的距离比第2线圈与所述第2布线之间的距离大。另外，将第2线圈与第2布线之间的距离设为位于第1线圈与第2线圈之间的第2绝缘膜及第3绝缘膜的膜厚之和以上。专利技术效果根据本申请中公开的以下所示的代表性实施方式所示的半导体器件，能够使半导体器件的特性提高。附图说明图1是表示实施方式1的半导体器件的构成的概念图。图2是表示实施方式1的半导体器件的构成的剖面图。图3是表示实施方式1的半导体器件的线圈的构成例的俯视图。图4是表示实施方式1的半导体器件的构成的俯视图。图5是表示上层线圈附近的构成的剖面图。图6是表示上层线圈附近的构成的俯视图。图7是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图。图8是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图7的制造工序的剖面图。图9是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图8的制造工序的剖面图。图10是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图9的制造工序的剖面图。图11是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图10的制造工序的剖面图。图12是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图11的制造工序的剖面图。图13是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图12的制造工序的剖面图。图14是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图13的制造工序的剖面图。图15是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图14的制造工序的剖面图。图16是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图15的制造工序的剖面图。图17是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图16的制造工序的剖面图。图18是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图17的制造工序的剖面图。图19是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图18的制造工序的剖面图。图20是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图19的制造工序的剖面图。图21是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图20的制造工序的剖面图。图22是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图21的制造工序的剖面图。图23是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图22的制造工序的剖面图。图24是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图23的制造工序的剖面图。图25是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图24的制造工序的剖面图。图26是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图25的制造工序的剖面图。图27是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图26的制造工序的剖面图。图28是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的剖面图，是表示接着图27的制造工序的剖面图。图29是表示实施方式2的半导体器件的构成的框图。图30是表示实施方式2的半导体器件的构成的俯视图。图31是表示实施方式3的应用例1的线圈的构成的俯视图。图32是表示实施方式3的应用例1的线圈的其他构成的俯视图。图33是使用了双线圈的情况下的半导体器件的主要部分剖面图。图34是使用了双线圈的情况下的半导体器件的主要部分俯视图。图35是表示使用了双线圈的情况下的半导体器件(封装)的构成例的俯视图。图36是表示实施方式3的应用例2的半导体器件的构成的主要部分剖面图。图37是表示实施方式3的应用例3的线圈的构成的俯视图。图38是表示焊盘区域上的开口部的形状和布线的形状的关系的图。图39是表示焊盘区域上的开口部的截面形状的图。图40是表示实施方式4的半导体器件的构成的剖面图。图41是表示实施方式4的半导体器件的虚拟布线的形状的俯视图。图42是表示实施方式4的半导体器件的其他构成的剖面图。图43是表示实施方式5的半导体器件的构成的框图。图44是表示实施方式5的半导体器件的构成的俯视图。图45是表示实施方式5的半导体器件的构成的俯视图。具体实施方式在以下的实施方式中为了方便在有需要时，分成多个部分或者多个实施方式进行说明，除了特别明示的情况，他们不是相互无关的，存在一个是另一个的一部分或者全部变形例、应用例、详细说明、补充说明等的关系。另外，在以下的实施方式中，言及要素的数等(包含个数、数值、量、范围等)的情况下，除了特别明示的情况及在原理上明确地限定为特定的数的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底；形成于所述衬底的上方的第1绝缘膜；形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线；形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜；形成于所述第3绝缘膜并将所述第3绝缘膜分割为所述第3绝缘膜的第1部分和所述第3绝缘膜的第2部分的开口部；形成于所述第3绝缘膜的所述第1部分之上的第2线圈；以及形成于所述第3绝缘膜的所述第2部分之上和所述开口部内的第3布线，所述第1线圈和所述第2线圈在俯视下重合，所述开口部在俯视下与所述第2布线重合，所述第3布线在所述开口部内与所述第2布线连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底；形成于所述衬底的上方的第1绝缘膜；形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线；形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜；形成于所述第3绝缘膜并将所述第3绝缘膜分割为所述第3绝缘膜的第1部分和所述第3绝缘膜的第2部分的开口部；形成于所述第3绝缘膜的所述第1部分之上的第2线圈；以及形成于所述第3绝缘膜的所述第2部分之上和所述开口部内的第3布线，所述第1线圈和所述第2线圈在俯视下重合，所述开口部在俯视下与所述第2布线重合，所述第3布线在所述开口部内与所述第2布线连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第2布线在俯视下包围所述第1线圈及所述第2线圈。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第1布线在俯视下与所述第2布线重合，所述第1布线在剖视下经由形成于所述第2绝缘膜的柱塞而与所述第2布线连接。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第1布线在俯视下包围所述第1线圈及所述第2线圈。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第2布线在剖视下将所述第3绝缘膜分割为所述第3绝缘膜的第1部分和所述第3绝缘膜的第2部分。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述衬底的膜厚方向上，所述第2布线的膜厚比所述第1布线的膜厚大。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述衬底的膜厚方向上，所述第3布线的膜厚比所述第1布线的膜厚大。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，在所述衬底的膜厚方向上，所述第3绝缘膜的膜厚比所述第2绝缘膜的膜厚大，在所述衬底的膜厚方向上，所述开口部的深度比所述第2布线的膜厚大。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜分别由无机绝缘膜形成。10.一种半导体器件，其特征在于，具有：搭载于第1芯片焊盘上的第1半导体芯片；与所述第1半导体芯片并排并搭载在第2芯片焊盘上的第2半导体芯片；配置在所述第1芯片焊盘的外周和所述第2芯片焊盘的外周的多条引线；连接所述第1半导体芯片及所述第2半导体芯片与所述多条引线的多条电线；以及用树脂密封所述多条电线及所述多条引线各自的一部分、所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1芯片焊盘以及所述第2芯片焊盘的密封体，所述多条引线包括：与所述第2半导体芯片相比靠近所述第1半导体芯片地配置的多条第1引线、以及与所述第1半导体芯片相比靠近所述第2半导体芯片地配置的多条第2引线，所述多条电线...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚孝行，船矢琢央，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP