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本公开提供光检测效率高的光检测装置。光检测装置具备：设置于半导体基板的第1主表面上的第1导电型的硅层；第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述...该专利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。