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本发明提供一种围栅器件及其制造方法，在半导体衬底上形成第一外延层与第二外延层交替层叠的堆叠层时，其最底层的第一外延层具有第一掺杂，利用该第一外延层可以使得形成的鳍的衬底的上部中也具有第一掺杂，而鳍中的第一外延层将会被去除，形成包围第二外延层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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