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本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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