温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备，该半导体器件，包括：衬底，衬底为硅衬底或SOI衬底；SiGe鳍，形成在衬底上方，其中，SiGe鳍是在沿水平方向上含有不同Ge含量的SixGe1‑x/SiyGe1‑y/SizGe1...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。