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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在粘合层上形成光刻胶层之后，利用光刻技术形成刻蚀图形时，在非引出区上形成间隔排布的第一刻蚀图形，在引出区上形成第二刻蚀图形，且第二刻蚀图形的尺寸大于第一刻蚀图形的尺寸，在利用该光刻胶层进行粘合层的各向异...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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