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本发明的半导体表面镀镍膜的方法，包括以下步骤：采用清洗剂对半导体的表面进行预清洗；采用离子束刻蚀对半导体的表面进行清洗；以及在半导体的表面上进行真空溅射沉积形成镍层。本发明在镍膜的形成过程中半导体晶片不会受到外力作用而发生破裂，从而提高半导...
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