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公开了3D存储器件的贯穿阵列触点结构以及其制作方法的实施例。3D NAND存储器件包括具有外围电路的衬底，以及设置在衬底上的交替层堆叠。交替层堆叠包括具有交替介电质堆叠的第一区域，具有交替导体/介电质堆叠的第二区域，以及具有在交替导体/介电...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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