温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术难以在不牺牲器件电学性能的情况下大幅减少器件转移电容的问题。该器件的导通区包括若干个周期性排列的原胞，每个所述原胞的栅极结构均包括沟槽、上屏蔽电...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。