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本公开提供一种三维存储器件的结构和制作方法。在一实例中，一种制作三维存储器件的方法包括：在基底上设置材料层，在材料层之一阵列形成区域中形成多个沟道形成孔以及邻近多个沟道形成孔之多个牺牲孔，根据沟道形成孔而形成多个半导体沟道以及根据牺牲孔的至...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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