温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种带有双外延层的沟槽栅双极型晶体管器件，包括硅衬底、双外延层、沟槽区、栅氧化层、多晶硅栅电极、发射极电极、绝缘介质层、N+发射区、P+深阱区、N型场终止区、P型集电极区及集电极；双外延层形成于硅衬底表面；沟槽区贯穿双外延层并延...
该专利属于上海擎茂微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海擎茂微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。