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本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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