蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。

Etching method

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法
本公开涉及一种对SiGe系材料进行蚀刻的蚀刻方法。
技术介绍
近年来，作为除了硅(以下记作Si)以外的新的半导体材料，公知有硅锗(记作SiGe)，作为使用了该SiGe的半导体元件，寻求如下半导体元件：在层叠了Si层和SiGe层之后，相对于Si层选择性地蚀刻SiGe层而成的半导体元件、相对于SiGe层选择性地蚀刻Si层而成的半导体元件。作为相对于Si选择性地蚀刻SiGe的技术，公知有使用ClF3、XeF2作为蚀刻气体的技术(专利文献1)、和使用HF作为蚀刻气体的技术(专利文献2)、使用NF3气体和O2气体等的混合气体的等离子体的技术(专利文献3)。另外，作为相对于SiGe选择性地蚀刻Si的技术，公知有向含有SF6、CF4的蚀刻气体添加含有锗的气体而进行蚀刻的技术(专利文献4)。另外，在专利文献5中记载有如下内容：通过使F2气体和NH3气体的比率变化，能够进行SiGe相对于Si的选择性的蚀刻和Si相对于SiGe的选择性的蚀刻。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2009-510750号公报专利文献2：日本特开2003-77888号公报专利文献3：日本特许第6138653号公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其特征在于，向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。

【技术特征摘要】
2018.01.22 JP 2018-007909;2018.11.29 JP 2018-224201.一种蚀刻方法，其特征在于，向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。2.一种蚀刻方法，其特征在于，针对具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体反复进行多次蚀刻时间下的蚀刻处理和多次处理空间的吹扫，而对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻，在该蚀刻时间下的蚀刻处理中，向该被处理体供给蚀刻气体，使所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者被蚀刻，另一者实质上未被蚀刻。3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻处理的1次时间是1sec～10sec，所述吹扫的1次时间是5sec～30sec。4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻之际的温度是100℃以上。5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻之际的温度是100℃～125℃。6.一种蚀刻方法，其特征在于，在低温范围内向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，对所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻之际的温度是60℃以下。8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻之际的温度是0～60℃。...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅田泰生，折居武彦，高桥信博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP