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本发明提供一种形成三维存储器的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、形成于衬底上的堆叠结构以及穿过所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔中形成电荷存储层，所述电荷存储层包括阻挡层、电荷捕获层和隧穿层；清除所述电荷存储层表面的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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