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提供一种半导体器件包括形成在基底上的沟槽，和填充在所述沟槽中、从所述沟槽底部向外依次设置的第一电介质层、第二电介质层；其中，所述第一电介质层在沟槽中的高度为以所述沟槽底部为基准、所述沟槽深度的1/7至1/3处，所述第二电介质层在沟槽中的高度...
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