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本公开提供了一种三维(3D)存储器件及其形成方法。所述3D存储器件可以包括：包括多个沟道结构的沟道结构区；处于所述沟道结构的第一侧上的第一阶梯区中的第一阶梯结构，所述第一阶梯结构包括沿第一方向布置的多个划分块结构；以及处于所述沟道结构的第二...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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