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描述了集成电路结构，所述集成电路结构包括集成到集成电路的一个或多个后端互连层中的后端存储器件。所描述的后端存储器件的示例包括一个晶体管和一个电容器(“1T/1C”)存储器单元器件，其使用氧化物半导体层(例如，铟镓锌氧化物)作为后端存储器单元...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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