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制造半导体装置的方法制造方法及图纸
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文档序号:21574855
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本公开的实施例涉及制造半导体装置的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体装置。首先,提供包括绝缘层、半导体层和绝缘膜的衬底,该绝缘膜堆叠在半导体衬底上、并且具有填充有元件隔离部分的沟槽。在通过第一干法蚀刻来从体区域去除绝缘膜之后,通过第二干...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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