温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，所述氮化镓器件包括：硅芯片正装在所述PCB双面基板的顶面上，氮化镓芯片倒装在所述PCB双面基板的顶面上，并借助于Cascode级联方式在所述PCB双面基板的顶面形成氮化镓器件的至少一个焊盘电极；其中...
该专利属于镓能半导体（佛山）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过镓能半导体（佛山）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。