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本发明涉及一种循环加热合成大颗粒SiC粉料的方法。该方法包括：在放置于单晶生长炉炉室内的第一坩埚内设置有第二坩埚，该第二坩埚与第一坩埚呈间隔关系，然后通过单晶生长炉的升温与降温，对坩埚进行循环加热实现SiC颗粒的长大。本发明将坩埚发热的功能...
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