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具有交叉耦合构造的集成电路制造技术
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下载具有交叉耦合构造的集成电路的技术资料
文档序号:21516251
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提供了一种集成电路。所述集成电路可包括第一有源区和第二有源区,第一有源区和第二有源区可彼此平行地沿第一水平方向在基底上延伸并且具有彼此不同的导电类型。第一栅极线可在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸,并且可与第一有源区形成第一晶体管。第...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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