温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供了一种导电插塞结构及半导体器件，通过在接触孔中形成硅化物层以降低接触电阻，并且所述接触孔底壁的所述硅化物层上形成有绝缘层，从而当电流从导电层向下传递时，可利用所述绝缘层形成一道屏障，使得电流无法垂直泄露进所述衬底中，从而降低了...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。