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本实用新型提供一种三维存储器，包括阶梯结构，所述阶梯结构具有多个台阶，每个台阶包括从上到下交替堆叠的至少一栅极层和至少一介质层，至少其中之一所述栅极层的边缘构成所述台阶的顶表面，所述台阶的顶表面上形成有导电层，所述导电层上连接有接触部。与现...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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