温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种新形式的功率金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方式，包括：一衬底+外延，一氧化层，一多晶硅（Poly‑Si）层，一氮化硅层，一第一掺杂区，一第二掺杂区，一第一次注入第一P+掺杂区，一第一次注入第二P+掺杂区，一介电质层(IL...
该专利属于江苏应能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏应能微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。