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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括：衬底；栅极层，位于所述衬底表面；所述衬底内具有沿沟道长度方向分布于所述栅极层相对两侧的源极漂移区和漏极漂移区，所述漏极漂移区中包括漏极区以及位于所述漏极区...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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