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本发明提供一种形成三维存储器的方法，所述方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构上具有衬底、位于衬底上的堆叠结构以及穿过所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔中具有垂直沟道结构；形成穿过所述堆叠结构的绝缘孔，以及掺杂所述绝缘孔底部的衬底形...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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