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一种3D NAND存储器的形成方法，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层，所述堆叠结构中具有第一沟道孔和第二沟道孔，所述第二沟道孔与第一沟道孔连通，且所述第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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