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本申请涉及半导体器件及其制造方法。改善了半导体器件的性能。多个第一栅极图案形成在半导体衬底的一部分的鳍之上。在相邻的第一栅极图案之间形成包括金属氧化物膜的栅极绝缘膜。然后，在栅极绝缘膜之上形成存储器栅极电极，以填充在相邻的第一栅极图案之间。...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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