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本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物之上的第一和第二栅极电介质层。第一和第二栅极电极分别在第一和第二栅极电介质层之上，第一和...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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