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本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有从其突出的半导体鳍状物的N阱区。沟槽隔离层在所述半导体衬底上...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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