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本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括鳍片。栅极电介质层处于鳍片的顶部之上并且侧向邻接鳍片的侧壁。N型栅电极处于鳍片的顶部之上的栅极电介...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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