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用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离。本公开的实施例在先进集成电路结构制造，并且特别是10纳米节点和更小的集成电路结构制造以及得到的结构的领域中。在示例中，一种集成电路结构包括包括硅的鳍片，所述鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分。第一绝缘层直接在...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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