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用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构制造技术
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文档序号:21304813
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本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域,并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中,一种集成电路结构包括具有沿着第一方向的最长尺寸的第一硅鳍片。具有最长尺寸的第二硅鳍片沿着第一方向。绝缘体材料处于第一硅...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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