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本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物。栅极电介质层在所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻。栅极电极在处于所述鳍状...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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