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一种半导体元件的制造方法包含：在半导体基材上形成第一高介电常数介电层；在第一高介电常数介电层上形成第二高介电常数介电层，其中第二高介电常数介电层包含与第一高介电常数介电层的材料不同的材料；退火第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层，使...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉授权不得商用。

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