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本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包含在基板上依序形成目标层、底部硬遮罩层、中间硬遮罩层及顶部硬遮罩层。之后在顶部硬遮罩层上形成第一遮罩层。形成具有至少一个凹槽及至少一个在凹槽下的残留部分的第一图案化顶部硬遮罩层，其中残留部分剩余的厚度...
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