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一种记忆体单元包括基板及浮动栅极记忆体单元。浮动栅极记忆体单元包括安置于基板上的擦除栅极结构、浮动栅极结构、选择栅极、共用源极及漏极。共用源极安置于基板中，且擦除栅极结构安置于共用源极上。浮动栅极结构在擦除栅极结构的两个相对侧处自基板的凹槽...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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