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一种存储元件，包括：基底、堆叠层、通道结构、电荷储存结构、氮化硅层以及缓冲氧化物层。堆叠层配置于基底上。堆叠层包括相互堆叠的多个介电层与多个导体层。通道结构贯穿堆叠层。电荷储存结构环绕通道结构的侧壁。氮化硅层环绕导体层。缓冲氧化物层配置于导...
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